NAND闪存控制器及其写入控制方法

摘要

本申请公开了一种NAND闪存控制器的写入控制方法，包括如下步骤：第1步，对于首次使用的、或者未存储任何数据的NAND闪存，通过全局扫描将所有页分类为误比特率高的页地址空间、误比特率低的页地址空间之一。第2步，为NAND闪存上的所有可用页建立页属性链表，其中包括所有可用页的页地址和所述分类信息。第3步，标记当前待写入数据是重要数据、或是非重要数据。第4步，标记当前逻辑地址为写入频率高、或是写入频率低。第5步，根据当前待写入数据是否为重要数据、以及当前逻辑地址的写入频率高低，查找页属性链表得到当前待写入数据的页地址。本申请可以对NAND闪存的写入操作以页为单位进行均衡管理，延长NAND闪存的使用寿命。

主权项

一种NAND闪存控制器的写入控制方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，对于首次使用的、或者未存储任何数据的NAND闪存，通过全局扫描将所有页分类为误比特率高的页地址空间、误比特率低的页地址空间之一；第2步，为NAND闪存上的所有可用页建立页属性链表，其中包括所有可用页的页地址和所述分类信息；第3步，标记当前待写入数据是重要数据、或是非重要数据；第4步，在当前待写入数据是非重要数据的情况下，标记当前逻辑地址为写入频率高、或是写入频率低；第5步，根据当前待写入数据是否为重要数据、以及当前逻辑地址的写入频率高低，查找页属性链表得到当前待写入数据的页地址。