一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法

摘要

本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，或者由“弱0”变为“强0”状态；该方法并不利用Charge Bumping(电荷泵)效应进行刷新操作，因此具有刷新操作的可靠性高的特点。同时，对于FBC存储器单元或存储器，刷新操作过程中不存在读取过程，进而可以对FBC存储器的存储阵列进行整体刷新操作。

主权项

一种体硅浮体晶体管存储器单元的刷新操作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在浮体晶体管的栅极上偏置电压脉冲，以使存储第一数据状态的浮体晶体管导通，或者以使存储第二数据状态的浮体晶体管截止；在浮体晶体管的漏端/源端偏置高电平脉冲，以使所述导通的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第一增量，或者以使所述截止的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第二增量，所述第一增量大于第二增量2到3个数量级；在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结反向截止；所述第一数据状态为1，第二数据状态为0；本步骤中所述在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲，是指FBC存储单元的栅极电压偏置于数据“1”状态下的阈值电压和数据“0”状态下的阈值电压之间，FBC存储单元的漏端/源端电压偏置于高电平；(2)在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲，以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通；本步骤中所述在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲，是指所有浮体区共用的N型隐埋层引出端施加一低于N型隐埋层与P型浮体区之间的PN结势垒的反向低电平，以及(3)重复所述第(1)步骤。