肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管，包括一欧姆层当作阴极，一金属层当作阳极，一漂流通道由半导体材料形成并在欧姆层和金属层间延伸。此漂流通道包括一重掺杂区域邻接欧姆接触层。漂流通道与金属层形成一肖特基势垒。当肖特基二极管逆向偏压时，夹止机制用于夹止漂流通道。因此，在肖特基二极管的逆向偏压条件下，金属层和欧姆接触层之间的饱和或漏电流程度被减少。

主权项

一种肖特基二极管，包括：一欧姆接触层；一金属层；一漂流通道，延伸于该欧姆接触层和该金属层之间；以及一夹止机制，用以在该肖特基二极管被逆向偏压时夹止该漂流通道；其中，该夹止机制包括位于该漂流通道相对两侧且与该漂流通道具有不同的导电类型的第一阱和第二阱，以及延伸于该第一阱和该第二阱之间、延伸穿越该漂流通道且与该金属层电性连接的控制栅。