一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法

摘要

一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通过A.确定靶材组分，B.质量计算，C.研磨，D.称量，E.混合，F.冷轧的工艺步骤，实现生长碲镉汞薄膜的靶材制备，该靶材制备方法可以在制备靶材的原材料中掺入杂质元素，实现对靶材成分的调节。通过采用本发明制备的靶材，致密性高、靶材组分均匀、成分可调、易于实现杂质原子的掺入；用该靶材制备出的薄膜均匀、光亮、附着率较好。

主权项

一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉、碲化汞做原材料，通过以下工艺步骤来实现：A.确定靶材组分，根据所需要制备的HgxCd1‑xTe(0≤x≤1)，确定靶材中碲、镉、汞三种元素的物质的量之比1∶1‑x∶x；B.质量计算，按步骤A中所需比例计算碲化镉和碲化汞的质量；C.研磨，在操作箱中，用玛瑙研钵将块状碲化镉和碲化汞分别研磨成粒度为200目以下的粉末，整个研磨过程均充以高纯N2保护；D.称量，将研磨好的碲化镉和碲化汞粉末按步骤B中的计算值分别称量；E.混合，将称量好的粉末倒入洁净的容器中，充分混合均匀；F.冷轧，将混合均匀的粉末放入靶托的凹槽中，铺设均匀并保持表面平整，在混合粉末上面覆盖一层硫酸纸，盖上圆形盖子，再将靶托放入一对不锈钢圆锭中，在其轴向缓慢、均匀加压，压力为10～20MPa，加压过程间隔进行，以使其自然释放压力，整个加压过程耗时为12h。