一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池的制备方法

摘要

一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池及其制备方法涉及太阳能应用技术领域。电池是按背板钢化玻璃层、PVB或EVA层、晶硅电池层、PVB或EVA层、AZO层、非晶硅层、TCO层和玻璃基板依次排列制成，制备方法包括在玻璃基板上制备TCO；TCO膜层激光刻划；制备PIN电池层；制备电池背电极；刻划背电极；引出正负电极；铺设PVB或者EVA；铺设单晶硅或多晶硅太阳能电池片；铺设PVB或EVA；叠片。通过该方法可以实现非晶硅太阳能电池与晶体硅太阳能电池对光谱吸收特性的互补，从而达到对太阳能量的充分利用，使得太阳能电池的转化效率更高，可由目前晶硅转换效率的15%增加到20～25%，使太阳能电池的应用更加广泛。

主权项

1.一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池的制备方法，其特征在于，太阳能电池是按背板钢化玻璃层、PVB或EVA层、晶硅电池层、PVB或EVA层、AZO层、非晶硅层、TCO层和玻璃基板依次排列制成，制备方法包括以下步骤：a、用LPCVD或磁控溅射在玻璃基板上制备TCO；b、对玻璃基板上的TCO膜层激光刻划，制造子电池；c、在TCO膜层上制备PIN电池层；d、激光刻划PIN电池膜层；e、用磁控溅射制备电池背电极，包括AZO、Ag膜层；f、激光刻划背电极，激光清边机清边；g、引出正负电极，用超声波焊接机焊接汇流条、引流条；h、铺设PVB或者EVA；i、铺设单晶硅或多晶硅太阳能电池片，焊接电极，并引出导线；j、铺设PVB或EVA，厚度控制在1～1.5mm；k、叠片，把背板钢化玻璃按要求放置在PVB或EVA上；l、辊压机预压，高压釜层压封装后经过清理、检验、检测、包装工序就制造出非晶硅/晶体硅结合型太阳能电池；所述步骤c制备工艺如下：制备p层，使用B(CH₃)₃、SiH₄、CH₄、Ar、H₂气体，沉积温度180℃～210℃，功率密度0.18～0.3W/cm²，氢稀释比R为23～35，硅烷与甲烷流量比为10:1～1.35，沉积压力为100～140p_a，膜层厚度150～250；制备I层，使用SiH₄、Ar、H₂气体，其中H₂/SiH₄比之R为19～21，沉积温度180℃～220℃，功率密度0.2～0.45W/cm²，沉积压力为110～155p_a,膜层厚度1800～2500；制备N层，使用PH₃、SiH₄、Ar、H₂气体，其中H₂/SiH₄比之R为21～32，沉积温度180℃～210℃，功率密度0.25～0.45W/cm²，沉积压力为110～150p_a,膜层厚度150～250。