| 发明名称 | 制备高纯硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制备硅，特别是高纯硅的方法，其中(1)提供含硅粉末，特别是在金属丝锯切硅块时产生的粉末，(2)将含硅粉末供入气流中，其中该气体具有足够高的温度，以使硅粉末从固态转变成液态和/或气态，(3)任选冷凝硅蒸汽并收集液态硅，和(4)优选在铸模中冷却收集的液态硅。 | ||
| 申请公布号 | CN103052594A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201180013133.7 | 申请日期 | 2011.03.09 |
| 申请人 | 施米德硅晶片科技有限责任公司 | 发明人 | J·哈恩;U·克拉特;C·施米德 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 用于制备高纯硅的方法，其包括下列步骤：·提供含硅粉末，·将含硅粉末供入气流中，其中该气体具有足够高的温度，以使金属硅的颗粒从固态转变成液态和/或气态，·收集和任选冷凝所形成的液态和/气态硅，和·冷却所收集的液态和/或冷凝的硅，优选在铸模中进行。 | ||
| 地址 | 德国弗罗伊登施塔特 | ||