发明名称 |
不透明导电区域的自对准覆盖 |
摘要 |
本发明涉及一种使得能够应用廉价制造技术来制作可靠和鲁棒有机薄膜器件(EL)的方法,该方法包括下述步骤:提供(P)透明衬底(1),该透明衬底至少部分地覆盖有第一层堆叠,该第一层堆叠包括优选地为导电层的至少一个透明层(2),以及沉积在透明层(2)之上的第一和第二不透明导电区域(31、32)的图案;在第一层堆叠之上沉积(D)由电绝缘光致抗蚀剂抗蚀剂材料制成的光致抗蚀剂层(4),该光致抗蚀剂层至少完全覆盖第二不透明导电区域(32);利用合适波长的光(5)穿过透明衬底(1)照射(IL)光致抗蚀剂层(4),使得在下方不具有不透明导电区域(31、32)的光致抗蚀剂层(4)的区域(43)中光致抗蚀剂材料是可溶解的;移除(R)光致抗蚀剂层(4)的可溶解区域(43);加热(B)保留在至少第二不透明导电区域(32)之上的光致抗蚀剂层(4)的区域(42),从而使光致抗蚀剂层(4)回流以覆盖第二不透明导电区域(32)的接触透明层(2)的边缘(E);以及硬化(H)光致抗蚀剂层(4)的剩余区域(42)。本发明还涉及用于在这些有机薄膜器件(EL)中使用的导电部件(CC)并且涉及该有机薄膜器件(EL)本身。 |
申请公布号 |
CN103053044A |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201180041107.5 |
申请日期 |
2011.07.29 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
S.哈特曼恩;C.里克斯;H.F.博尔纳;H.里夫卡;H.施瓦布 |
分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李亚非;汪扬 |
主权项 |
一种用于在自对准工艺中覆盖不透明导电区域的方法,包括下述步骤:提供(P)透明衬底(1),该透明衬底至少部分地覆盖有第一层堆叠,该第一层堆叠包括优选地为导电层的至少一个透明层(2),以及沉积在透明层(2)之上的第一和第二不透明导电区域(31、32)的图案,在第一层堆叠之上沉积(D)由电绝缘光致抗蚀剂材料制成的光致抗蚀剂层(4),该光致抗蚀剂层至少完全覆盖第二不透明导电区域(32),利用合适波长的光(5)穿过透明衬底(1)照射(IL)光致抗蚀剂层(4),使得在下方不具有不透明导电区域(31、32)的光致抗蚀剂层(4)的区域(43)中光致抗蚀剂材料是可溶解的,移除(R)光致抗蚀剂层(4)的可溶解区域(43),加热(B)保留在至少第二不透明导电区域(32)之上的光致抗蚀剂层(4)的区域(42),从而使光致抗蚀剂层(4)回流以覆盖第二不透明导电区域(32)的接触透明层(2)的边缘(E),以及硬化(H)光致抗蚀剂层(4)的剩余区域(42)。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |