| 发明名称 | 一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件及其制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件及其制作工艺，所述封装件主要由框架内引脚、锡层、金属凸点、芯片和塑封体组成；所述金属凸点由芯片的压区表面采用浸锡银铜合金法形成，所述框架内引脚与金属凸点的焊接区有一层电镀的锡层，框架内引脚上是锡层，锡层上是金属凸点、金属凸点上是芯片、所述塑封体包围了框架内引脚、锡层、金属凸点、芯片，芯片、金属凸点、锡层、框架内引脚构成了电路的电源和信号通道。所述制作工艺按照以下步骤进行：晶圆浸锡银铜合金形成高温锡球金属凸点、晶圆减薄划片、框架对应区域镀锡层、上芯、回流焊、塑封、后固化、锡化、打印、产品分离、检验、包装。本发明具有成本低、效率高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN103050471A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210582557.1 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 华天科技（西安）有限公司 | 发明人 | 郭小伟;蒲鸿鸣;崔梦;谌世广;刘建军 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件，其特征在于：主要由框架内引脚（1）、锡层（2）、金属凸点（4）、芯片（5）和塑封体（6）组成；所述金属凸点（4）由芯片（5）的压区表面采用浸锡银铜合金法形成，所述框架内引脚（1）与金属凸点（4）的焊接区有一层电镀的锡层（2），框架内引脚（1）上是锡层（2），锡层（2）上是金属凸点（4），金属凸点（4）上是芯片（5），所述塑封体（6）包围了框架内引脚（1）、锡层（2）、金属凸点（4）、芯片（5），芯片（5）、金属凸点（4）、锡层（2）、框架内引脚（1）构成了电路的电源和信号通道。 | ||
| 地址 | 710018 陕西省西安市经济技术开发区凤城五路105号 | ||