发明名称 一种场发射阴极的处理方法
摘要 本发明提供一种场发射阴极的处理方法,包括:化学气相沉积法制备MWCNT;取纯化后的MWCNT粉末在无水乙醇中用超声波分散,室温下自然晾干并充分研磨,再与有机载体混合搅拌1~2小时后作为阴极浆料;在玻璃基板上印制一层60rnm×25mm面积的银浆薄膜电极;烧结处理后,用制作好的碳管浆料以200目丝网在基片印制碳管薄膜;将所有样品共同放在管式炉中,在Ar环境下进行烧结处理后;采用准分子激光系统,在空气中进行5分钟激光烧蚀处理。使得开启场强降低,发射电流增大。
申请公布号 CN103050348A 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201210576455.9 申请日期 2012.12.25
申请人 青岛盛嘉信息科技有限公司 发明人 于正友;肖太升;刘雷
分类号 H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J9/02(2006.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 汤东凤
主权项 一种场发射阴极的处理方法,包括:化学气相沉积法制备MWCNT;取纯化后的MWCNT粉末在无水乙醇中用超声波分散,室温下自然晾干并充分研磨,再与有机载体混合搅拌1~2小时后作为阴极浆料;在玻璃基板上印制一层60mm×25mm面积的银浆薄膜电极;烧结处理后,用制作好的碳管浆料以200目丝网在基片中央印制碳管薄膜;将所有样品共同放在管式炉中,在Ar环境下进行烧结处理后;采用准分子激光系统,在空气中进行5分钟激光烧蚀处理。
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