| 发明名称 | LED外延结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括：透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层至少有一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。本实用新型提高了LED外延结构的量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN202888222U | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201220382302.6 | 申请日期 | 2012.08.03 |
| 申请人 | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 | 发明人 | 林翔;马培培;陈勇;梁秉文 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括： 透明粗化层，位于所述第二半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层的一个表面为粗糙的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第二半导体层与其上表面面对的介质层的折射率之间以减小光线的全反射。 | ||
| 地址 | 314300 浙江省嘉兴市海盐县盐北路211号科创园西区1号楼3楼 | ||