电阻式存储器器件及其形成方法

摘要

提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。

主权项

一种电阻式存储器器件，包括：衬底上的电阻式存储器元件；所述电阻式存储器元件上的位线；所述电阻式存储器元件之上和外部的上接线柱，所述上接线柱包含与所述位线相同的材料并且具有高度高于所述位线下表面的下表面；以及所述衬底和所述上接线柱之间的下接线柱，所述下接线柱与所述上接线柱连接，并且由不同于所述上接线柱的材料形成；其中所述下接线柱具有与所述电阻式存储器元件的下表面基本上共平面的下表面；其中所述上接线柱与所述下接线柱之间的接口表面被布置为低于所述位线的上表面，并且被布置为高于所述位线的下表面。