发明名称 掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途
摘要 本发明涉及一种掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途。采用熔盐提拉法,在1010℃左右,以10~30转/分钟的晶体转速,0.2~0.7毫米/小时的拉速,生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:CsLa(WO4)2晶体。该晶体的主吸收峰在804nm,半峰宽(FWHM)为9nm,吸收截面为9.15×10-20cm2,适合于采用AsGaAl半导体激光来泵浦。在850nm-1400nm波段有三个非常宽的发射带,在1060nm处发射跃迁截面为15.4×10-20cm2,荧光寿命为210μs。该晶体是一种新型的激光晶体,可产生1060nm左右波长的激光输出。
申请公布号 CN101676443B 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN200810071780.3 申请日期 2008.09.16
申请人 中国科学院福建物质结构研究所 发明人 王国富;赵旺;张莉珍
分类号 C30B29/32(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I 主分类号 C30B29/32(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种掺钕钨酸镧铯激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Nd<sup>3+</sup>:CsLa(WO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>,属于四方晶系,空间群为P4<sub>2</sub>/nmc,晶胞参数为<img file="FSB00000907002600011.GIF" wi="954" he="58" />D<sub>c</sub>=6.16g/cm<sup>3</sup>,Nd<sup>3+</sup>离子作为激光激活离子,掺杂于晶体中,取代晶体中La<sup>3+</sup>离子的晶格位置,其掺杂浓度在0.5at.-15at.%之间。
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