| 发明名称 | 物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构 | ||
| 摘要 | 一种物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构，其中物理气相沉积线圈的处理方法包括：提供物理气相沉积线圈；对所述物理气相沉积线圈进行清洗；在所述物理气相沉积线圈内表面形成与所述物理气相沉积线圈材料一致的薄膜。本发明提高物理气相沉积系统的均一性和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101956156B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN200910054945.0 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | C23C14/02(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种物理气相沉积线圈的处理方法，其特征在于，包括：提供物理气相沉积线圈，物理气相沉积线圈的材料分别为钽、铝、钛或者钴；对所述物理气相沉积线圈进行清洗；在所述物理气相沉积线圈内表面形成与所述物理气相沉积线圈材料一致的薄膜，形成薄膜的具体工艺参数为：腔室压力为10毫托至18毫托，直流功率为10000瓦至40000瓦，氩气流量为2SCCM至20SCCM。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||