发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体装置。本发明的课题在于,能够抑制半导体装置内所搭载的半导体芯片上所受到的应力,并防止半导体芯片内的膜产生剥离或破裂等。其解决方法为:在具有半导体芯片、半导体芯片主面上形成的电极、和搭载半导体芯片的布线板的半导体装置中,例如,设置将布线板的布线和电极电连接的再布线。该再布线使用能够缓和半导体芯片与布线板之间所产生的应力的再布线。 |
申请公布号 |
CN101930950B |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201010246525.5 |
申请日期 |
2005.07.04 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
胁山悟;马场伸治 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
高为 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:半导体芯片,使用硅衬底、作为层间绝缘膜的低介电系数薄膜、以及形成在所述硅衬底的主面上的焊料凸点;以及具有芯层和在所述芯层的2个面上都层叠的组合层的布线板,其中所述半导体芯片通过所述焊料凸点与所述组合层之一进行电和机械的连接,所述低介电系数薄膜具有的破裂强度低于二氧化硅膜的破裂强度;所述组合层具有的线性热膨胀系数大于所述硅衬底的线性热膨胀系数,以及所述芯层和组合层的每一个都含有玻璃纤维织物。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |