| 发明名称 | 一种射频LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种射频LDMOS器件，其沟道掺杂区与漂移区的侧面相接触，在沟道掺杂区与漂移区之上依次具有栅氧化层和栅极。所述漂移区在栅氧化层之下的那部分的掺杂浓度小于其余部分的掺杂浓度。本申请还公开了其制造方法。由于使得漂移区的掺杂浓度呈现不均匀分布，本申请可以在获取低导通电阻的同时，降低热载流子效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103050536A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210513673.8 | 申请日期 | 2012.12.04 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种射频LDMOS器件，其沟道掺杂区与漂移区的侧面相接触，在沟道掺杂区与漂移区之上依次具有栅氧化层和栅极；其特征是：所述漂移区在栅氧化层之下的那部分的掺杂浓度小于其余部分的掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||