多晶硅悬梁结构的单片制造方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，本发明方法在常规BiCMOS工艺过程中，插入了多晶硅悬梁结构的加工步骤，在金属化工艺之前完成多晶硅的淀积和退火，避免了MEMS高温工艺对于金属化工艺的影响；在多晶硅悬梁结构的释放过程中，采用特制腐蚀液和利用负性光刻胶作为多晶硅悬梁结构的支柱，有效地避免了湿法释放悬梁结构过程中的衬底粘附问题，且避免了对信号处理电路造成影响。本发明方法解决了多晶硅悬梁结构制作工艺与BiCMOS电路加工工艺兼容的技术难题，实现了多晶硅悬梁结构与BiCMOS信号处理电路的单片集成。本发明方法可广泛应用于电容式加速度计、陀螺仪等MEMS传感器的单片集成制造领域。

主权项

一种多晶硅悬梁结构的单片制造方法，该方法包括以下步骤：(1)在P型硅片上制作BiCMOS信号处理电路；(2)在已经形成了BiCMOS信号处理电路的所述硅片上形成牺牲层和多晶硅悬梁结构；(3)在已经形成了牺牲层和多晶硅悬梁结构的所述硅片上制作金属布线和钝化层；(4)在特制腐蚀液中，局部腐蚀多晶硅悬梁下的牺牲层，在已经形成的所述多晶硅悬梁结构下面形成光刻胶防粘附支柱，该特制腐蚀液配方为：6wt％的HF酸，40wt％的NH4F，10wt％的冰乙酸，其余为去离子水；(5)完全腐蚀牺牲层，然后再去除硅片表面光刻胶和多晶硅悬梁结构下的光刻胶防粘附支柱，完全释放多晶硅悬梁结构。