半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为熔丝区和焊垫区，所述熔丝区形成有熔丝结构，所述焊垫区形成有焊垫，所述熔丝结构与焊垫间隔，所述熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，所述焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层，所述保护层覆盖焊垫、熔丝结构及衬底；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在所述光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、所述开口还暴露出熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。