| 发明名称 | 区熔炉炉室 | ||
| 摘要 | 1.外观产品设计名称：区熔炉炉室；2.外观设计产品的用途：区熔炉炉室，生产硅半导体材料，以满足现有区熔拉晶工艺需求；3.外观设计的设计要点：整体造型；4.指定一幅最能表明设计要点的图片或者照片：主视图。 | ||
| 申请公布号 | CN302405779S | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201230421902.4 | 申请日期 | 2012.09.04 |
| 申请人 | 北京京运通科技股份有限公司 | 发明人 | 袁静;李岩;王军 |
| 分类号 | 23-03 | 主分类号 | 23-03 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | |||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区经海四路158号 | ||