具有DMOS集成的半导体器件

摘要

本申请涉及具有DMOS集成的半导体器件，该半导体器件包括具有用于将VDMOS器件连接到LDMOS器件的导电材料。所述半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底，其中，第二区域被布置在第一区域上。沟槽从第二区域的顶表面延伸到第一区域。半导体衬底包括贴近第二区域的顶表面形成的VDMOS器件以及同样贴近第二区域的顶表面形成的LDMOS器件。VDMOS器件的漏极区域通过布置在沟槽中的导电材料电连接到LDMOS器件的源极区域。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有第一区域和布置在所述第一区域上的第二区域；VDMOS器件，所述VDMOS器件是使用所述半导体衬底形成的，并且贴近所述第二区域的顶表面布置所述VDMOS器件，所述VDMOS器件具有形成于所述第一区域中的第一漏极区域以及形成于所述第二区域中的至少一个第一源极区域；LDMOS器件，所述LDMOS器件是使用所述半导体衬底形成的，并且贴近所述第二区域的顶表面布置所述LDMOS器件，所述LDMOS器件具有形成于所述第二区域中的第二漏极区域以及形成于所述第二区域中的第二源极区域；以及沟槽，其形成于所述半导体衬底中并且从所述第二区域的顶表面延伸到所述第一区域，所述沟槽包括被布置在所述沟槽中的、用于将所述第一漏极区域电耦合到所述第二源极区域的导电材料。