发明名称 |
一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路 |
摘要 |
一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路,设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路,温度检测电路输出连接到电压比较器,电压比较器输出连接到输出整形电路,输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路,输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成,电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管,提高了温度保护电路的精度,并且适用于普通CMOS工艺。 |
申请公布号 |
CN103050940A |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201210545358.3 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
孙伟锋;杨淼;袁冬冬;朱长峰;徐申;陆生礼;时龙兴 |
分类号 |
H02H5/04(2006.01)I |
主分类号 |
H02H5/04(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
汤志武 |
主权项 |
一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路,其特征在于:设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路,温度检测电路输出连接到电压比较器,电压比较器输出连接到输出整形电路,输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路,输出整形电路产生控制后续电路的输出电压;其中:温度检测电路包括十个MOS管M1~M10、三个电阻R0、R1、R2,MOS管M1的漏极连接电阻R0的一端及MOS管M2的栅极,MOS管M1的栅极连接电阻R0的另一端并与及MOS管M3的源极连接,MOS管M2的漏极连接MOS管M4的源极,MOS管M3的栅极与MOS管M4的栅极互连并连接MOS管M3的漏极和MOS管M5的漏极,MOS管M5的栅极与MOS管M6的栅极互连并连接MOS管M4的漏极和MOS管M6的漏极,MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极,MOS管M7的栅极、MOS管M8的栅极以及MOS管M9的栅极互连并连接MOS管M8的漏极和MOS管M6的源极,MOS管M7、M8、M9的源极均接电源电压,MOS管M9的漏极连接电阻R1的一端,R1的另一端连接电阻R2的一端及MOS管M10的漏极,电阻R2的另一端以及MOS管M1、M2、M10的源极均接地;电压比较器包括九个MOS管M11~M19,MOS管M11的漏极连接MOS管M12和MOS管M13的源极,MOS管M12的栅极连接温度检测电路中MOS管M1的漏极,MOS管M13的栅极连接温度检测电路中MOS管M9的漏极,MOS管M12的漏极与MOS管M14的漏极互连并连接到MOS管M14的栅极和MOS管M18的栅极,MOS管M13的漏极与MOS管M15的漏极互连并连接到MOS管M15的栅极和MOS管M19的栅极,MOS管M14、M15、M18、M19的源极均接地,MOS管M18的漏极与MOS管M16的漏极互连并连接MOS管M16和MOS管M17的栅极,MOS管M17的漏极与MOS管M19的漏极连接,MOS管M11、M16、M17的源极均接电源电压;输出整形电路包括两个反相器INV1及INV2,反相器INV1的输出端连接反相器INV1的输入端并连接到温度检测电路中MOS管M10的栅极,反相器INV1的输入端连接电压比较器中MOS管M17及M19的漏极,反相器INV2的输出端控制后续电路。 |
地址 |
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