半导体器件的保护环

摘要

本发明公开了一种半导体器件的保护环，所述保护环围绕着半导体器件的芯片形成一圈，将该芯片与切割道分开；其包括：保护环深沟槽，该保护环深沟槽穿过多晶-金属间介质膜和外延层，与高掺杂浓度的硅衬底直接相连；所述保护环深沟槽中依次形成有一层金属粘合层和一层金属阻挡层，且用填充金属填充满；所述多晶-金属间介质膜上端且位于所述保护环深沟槽上方设有第一金属层，该第一金属层与所述填充金属电连接。本发明能更好的起到保护和屏蔽作用，提高器件的可靠性。

主权项

一种半导体器件的保护环，其特征在于，所述保护环围绕着半导体器件的芯片形成一圈，将该芯片与切割道分开；其包括：保护环深沟槽，该保护环深沟槽穿过多晶‑金属间介质膜和外延层，与高掺杂浓度的硅衬底直接相连；所述保护环深沟槽中依次形成有一层金属粘合层和一层金属阻挡层，且用填充金属填充满；所述多晶‑金属间介质膜上端且位于所述保护环深沟槽上方设有第一金属层，该第一金属层与所述填充金属电连接。