| 发明名称 | 低应力IGBT沟槽型栅极的成长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低应力IGBT沟槽型栅极的成长方法，该方法在成长完栅极氧化层后，进行以下工艺步骤：1）在栅极氧化层上沉积一层多晶硅，并确保沉积后，沟槽内留有缝隙；2）多晶体回刻，形成上方开口的沟槽填充形貌；3）高温退火；4）多晶硅补沉积，形成无缝填充的沟槽作为栅极。其中，步骤1）至2）或步骤1）至3）可以重复多次进行。该方法通过多次多晶硅成膜和高温退火，使多晶硅的大部分应力得以释放，避免了后续高温工艺引入的应力累积，从而降低了硅片的面内应力，改善了硅片的翘曲度，保证了后续工艺流程中硅片的正常传送。 | ||
| 申请公布号 | CN103050389A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210545430.2 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李琳松 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 低应力IGBT沟槽型栅极的成长方法，其特征在于，在成长完栅极氧化层后，还包括以下步骤：1）在栅极氧化层上沉积一层多晶硅，并确保沉积后，沟槽内留有缝隙；2）多晶体回刻，形成上方开口的沟槽填充形貌；3）重复0～8次步骤1）至2）；4）高温退火；5）多晶硅补沉积，形成无缝填充的沟槽作为栅极。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||