突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法

摘要

本发明提供一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法，该背光探测器由底部至上部依次包括有n+-InP衬底、高浓度掺杂的n-InP过渡层、中等浓度掺杂的n-InP缓冲层、非故意掺杂的InGaAs光吸收层、扩锌的P-InP覆盖层、P+-InGaAs电接触层及SiO2保护层，该覆盖层与电接触层内形成有浅沟刻蚀区，该浅沟刻蚀区下方位于该光吸收层内形成有氢离子注入高阻区，在该SiO2保护层上设有环状的金属电极，该金属电极包围该浅沟刻蚀区，该金属电极外围设有金属挡光层。本发明的浅沟栅状氢离子高阻隔离区可有效减少光敏区的面积和PN结电容，达到减小光脉冲信号的开启延迟和光关断后的电脉冲拖尾。

主权项

一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器，其特征在于，其由底部至上部依次包括有n+‑InP衬底、高浓度掺杂的n‑InP过渡层、中等浓度掺杂的n‑InP缓冲层、非故意掺杂的InGaAs光吸收层、扩锌的P‑InP覆盖层、P+‑InGaAs电接触层及SiO2保护层，该覆盖层与电接触层内形成有浅沟刻蚀区，该浅沟刻蚀区下方位于该光吸收层内形成有氢离子注入高阻区，在该SiO2保护层上设有环状的金属电极，该金属电极包围该浅沟刻蚀区，该金属电极外围设有金属挡光层。