NAND型快闪存储器的读写方法及其相关页缓冲区

摘要

本发明揭示一包含多个存储单元的多层次单元NAND型快闪存储器元件的写入及读取方法为减少写入及读取时间。写入方法包含步骤：(a)将所有存储单元写入至一零状态；(b)切换第二存储单元的MSB将其从零状态写入至一第二状态；以及(c)切换第一存储单元的LSB将其从零状态写入至一第一状态，同时切换第三存储单元的LSB将其从第二状态写入至一第三状态。读取方法包含步骤：(d)执行一三阶段(three-phase)最低有效位读取；以及(e)执行一一阶段(one-phase)最高有效位读取。本发明还揭示一种用以执行所述写入方法及所述读取方法的页缓冲区。

主权项

一种NAND型快闪存储器元件，所述NAND型快闪存储器元件包含多个存储单元及一页缓冲区，其特征在于所述页缓冲区包含：一第一锁存电路，通过一第一确认信号及一第二确认信号以确认所述存储单元的编程状态；一第二锁存电路，通过一第三确认信号以读取所述存储单元的最低有效位；一位线电源电路，提供一位线电源至一选定位线，其中所述选定位线搭配预定写入的存储单元；一输入电路，接收预定写入的数据至所述存储单元；以及一预充电电路，预充电所述选定位线，其中所述第一确认信号用以确认处于一第二状态的存储单元的最高有效位及确认处于一第一状态的存储单元的最低有效位；其中所述第二确认信号用以确认处于一第三状态的存储单元的最低有效位；以及其中所述第三确认信号用以读取处于一第二状态及一第三状态的存储单元的最低有效位。