发明名称 |
电光装置及电子设备 |
摘要 |
本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中,提高相对于晶体管的遮光性,并使开口率提高。电光装置,在基板(10)上,具备:电连接于数据线(6a)的晶体管(30),与晶体管对应设置的像素电极(9a),以覆盖晶体管的半导体层的方式设置的遮光部(11),以与遮光部重叠的方式设置、相比像素电极形成于下层侧且相比半导体层形成于上层侧的第1导电膜(71),和隔着层间绝缘膜(42)相比第1导电膜形成于上层侧并通过接触孔(84)与第1导电膜电连接的第2导电膜(91)。进而,遮光部,具有伸出于与像素电极相对应的各像素的开口区域的角部的伸出部分(11t);接触孔,从基板上俯视,与伸出部分至少局部重叠。 |
申请公布号 |
CN101364018B |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN200810144911.6 |
申请日期 |
2008.08.07 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
中川雅嗣 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G03B21/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
陈海红;段承恩 |
主权项 |
一种电光装置,其特征在于,在基板上,具备:数据线,电连接于该数据线的晶体管,对应于该晶体管所设置的像素电极,覆盖前述晶体管的半导体层地所设置的遮光部,与前述遮光部重叠地所设置,形成于比前述像素电极下层侧且比前述半导体层上层侧的第1导电膜,和通过层间绝缘膜形成于比该第1导电膜上层侧并通过开孔于前述层间绝缘膜的接触孔与前述第1导电膜电连接的第2导电膜;前述遮光部,具有伸出于对应于前述像素电极的各像素的开口区域的角落的伸出部分;前述接触孔,以前述基板上俯视,与前述伸出部分至少部分性地重叠。 |
地址 |
日本东京都 |