发明名称 |
射频功率高品质定向耦合器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种射频功率高品质定向耦合器,包括耦合器本体及分别安装在耦合器本体输入端、输出端、底端上的DIN连接器,所述输入端、输出端、底端上的DIN连接器与耦合器本体连接处内置防水橡胶圈,耦合器本体正面设有内调试盖板,在内调试盖板四周边缘开有一圈充填槽,所述充填槽凹槽内嵌入第二防水橡胶圈,所述主耦合杆、副耦合杆与耦合棒采用螺栓免焊接方式连接固定,且在内调试盖板上设有若干个调试孔分别对耦合器耦合度、驻波比进行调整。本实用新型具有互调稳定,易组装,生产一致性高,免焊接,在腔体内部调试,腔体密闭度高能够完全替代原有的传统型产品。 |
申请公布号 |
CN202888386U |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201220617857.4 |
申请日期 |
2012.11.20 |
申请人 |
湖北兴泽科技有限公司 |
发明人 |
刘爱华;陈泽钊 |
分类号 |
H01P5/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01P5/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
射频功率高品质定向耦合器,其特征在于:所述耦合器包括耦合器本体(8)及分别安装在耦合器本体(8)输入端、输出端、底端上的DIN连接器(5),所述输入端、输出端、底端上的DIN连接器(5)与耦合器本体(8)连接处内置防水橡胶圈(6),所述耦合器本体(8)正面设有内调试盖板(10),在内调试盖板(10)四周边缘开有一圈充填槽(3),所述充填槽(3)凹槽内嵌入第二防水橡胶圈。 |
地址 |
444100 湖北省当阳市全民创业园(锦屏大道西段) |