发明名称 密封微机电系统装置及其制造方法与封装结构
摘要 本发明提供一种密封微机电系统(MEMS)封装,其包含CMOS MEMS芯片和第二衬底。CMOS MEMS芯片具有第一衬底、结构介电层、CMOS电路和MEMS结构。结构介电层安置在第一结构衬底的第一侧上。结构介电层具有用于电互连的互连结构,且还具有保护结构层。第一结构衬底具有至少一孔。所述孔位于保护结构层下方以形成至少一腔室。腔室在第一结构衬底的第二侧中暴露到环境。腔室还包括MEMS结构。第二衬底在腔室上方粘附到第一衬底的第二侧以形成密封空间,且MEMS结构位于所述空间内。
申请公布号 CN102107846B 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201010136543.8 申请日期 2010.03.12
申请人 鑫创科技股份有限公司 发明人 李建兴;谢聪敏;刘志成
分类号 B81B7/02(2006.01)I 主分类号 B81B7/02(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 魏晓刚
主权项 一种密封微机电系统(MEMS)封装,其包括:CMOS MEMS芯片,其具有为结构性的第一衬底和位于所述第一衬底的第一侧上的结构介电层,其中所述结构介电层包括互连结构和保护结构层,其中所述第一衬底包括至少一孔且所述保护结构层位于所述孔上方以形成至少一腔室,其中所述腔室在所述第一衬底的第二侧处,且MEMS结构位于所述腔室内部,所述互连结构包括输出垫结构以耦合出所述CMOS MEMS芯片的电信号;以及第二衬底,其在所述腔室一方上面粘附到所述第一衬底的第二侧以使所述腔室形成密封空间,其中所述MEMS结构位于所述密封空间内。
地址 中国台湾新竹县