发明名称 |
富锗灵芝菌丝体的生产方法 |
摘要 |
本发明公开一种富锗灵芝菌丝体的生产方法,其特征在于按以下步骤进行:制备富锗玉米浸泡液;在富锗玉米浸泡液中加入碳源、氮源、中量元素、豆油制备培养基并灭菌、冷却;在培养基中接种经斜面培养的灵芝液体菌种,培养菌种至生成灵芝菌丝体。可将有机锗元素(玉米锗)转化为灵芝锗生物大分子,明显提高了灵芝中有机锗含量,使灵芝在有效发挥灵芝多糖作用的前提下,还可以充分发挥有机锗的作用。 |
申请公布号 |
CN101558720B |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN200910011338.6 |
申请日期 |
2009.04.29 |
申请人 |
大连三禾生物有限公司 |
发明人 |
杨平;谭新国 |
分类号 |
A01G1/04(2006.01)I;C05G1/00(2006.01)I |
主分类号 |
A01G1/04(2006.01)I |
代理机构 |
大连非凡专利事务所 21220 |
代理人 |
闪红霞 |
主权项 |
一种富锗灵芝菌丝体的生产方法,其特征在于按以下步骤进行: a.制备富锗玉米浸泡液,是以有机锗含量为0.5~1.5mg/kg的富锗玉米为原料,用水浸泡、浓缩而得到有机锗含量为0.4~0.6mg/L的浓缩液; b.在富锗玉米浸泡液中加入碳源、氮源、中量元素、豆油制备培养基并灭菌、冷却,所述碳源、氮源、中量元素、豆油的加入量是每100ml培养基含碳源4~5g、氮源1~2g、中量元素0.05~0.1g、豆油0.1g、富锗玉米浸泡液余量; 所述中量元素是磷酸二氢钾、磷酸氢二钾、磷酸氢二钠、磷酸二氢钠中的至少一种; c.在培养基中接种经斜面培养的灵芝液体菌种,培养菌种至生成灵芝菌丝体。 |
地址 |
116023 辽宁省大连市高新技术产业园区学子街2号 |