半导体装置与半导体元件的制法

摘要

本发明提供一种半导体装置与半导体元件的制法，制法包括：形成第一与第二凸起；形成第一结构占据第一凸起，且包括一非金属导电层，以及第一开口位于导电层之上；形成第二结构占据第二凸起，且包括：第二开口；以及顺应性沉积纯金属于第一开口与第二开口中。半导体装置包括：第一元件包括第一凸起与第一栅极结构，第一凸起从基板向上延伸，且第一栅极结构占据第一凸起，且包括一开口，且一顺应性纯金属设置于开口中；以及一第二元件包括第二凸起与第二栅极结构，第二凸起从基板向上延伸，且第二栅极结构占据第二凸起，且包括一硅化物，此硅化物包括金属，此金属与沉积于开口中的金属相同。本发明可提高元件性能。

主权项

一种半导体元件的制法，包括以下步骤：提供一基板；形成一第一凸起与第二凸起自该基板向上延伸，其中所述凸起分别各自具有一第一沟道区域与第二沟道区域；形成一第一结构占据该第一凸起且相邻于该第一沟道区域，其中该第一结构包括：一第一介电材料，位于该第一沟道区域之上；一非金属导电层，位于该第一介电材料之上；以及一第一开口，位于该导电层之上；形成一第二结构占据该第二凸起且相邻于该第二沟道区域，其中该第二结构包括：一第二介电材料，位于该第二沟道区域之上；以及一第二开口，大于该第一开口，其中该第二开口位于该第二介电材料与该第二沟道区域之上；以及顺应性沉积一具有低电阻率的纯金属于该第一开口与该第二开口之中。