发明名称 |
用于中子检测器的含硼涂层 |
摘要 |
一种中子检测器,其包括界定了内部体积的外壳。所述中子检测器包括至少壁部分,所述壁部分起阴极作用。在一个实例中,所述壁部分具有微特征。所述中子检测器包括位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构。所述中子检测器包括在所述壁部分上的硼涂层。在一个实例中,所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加。在一个实例中,所述硼涂层符合所述壁部分上的微特征。在一个实例中,所述壁部分具有2-5微米的厚度。所述中子检测器具有电连接器,其可操作地连接至所述中心结构,以用于传输所述中心结构采集的信号。本发明还提供了用于沉积所述硼涂层的相关方法。 |
申请公布号 |
CN103048677A |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201210462087.5 |
申请日期 |
2012.09.07 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
J·M·鲁斯迪格;J·B·詹斯马 |
分类号 |
G01T3/00(2006.01)I;B05D1/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01T3/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
林毅斌;林森 |
主权项 |
一种中子检测器,其包括:界定了内部体积的外壳;至少壁部分,所述壁部分起阴极作用;位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构;在所述壁部分上的硼涂层,其中所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加;和电连接器,其可操作地连接至所述中心结构,以用于传输所述中心结构采集的信号。 |
地址 |
美国纽约州 |