发明名称 用于中子检测器的含硼涂层
摘要 一种中子检测器,其包括界定了内部体积的外壳。所述中子检测器包括至少壁部分,所述壁部分起阴极作用。在一个实例中,所述壁部分具有微特征。所述中子检测器包括位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构。所述中子检测器包括在所述壁部分上的硼涂层。在一个实例中,所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加。在一个实例中,所述硼涂层符合所述壁部分上的微特征。在一个实例中,所述壁部分具有2-5微米的厚度。所述中子检测器具有电连接器,其可操作地连接至所述中心结构,以用于传输所述中心结构采集的信号。本发明还提供了用于沉积所述硼涂层的相关方法。
申请公布号 CN103048677A 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201210462087.5 申请日期 2012.09.07
申请人 通用电气公司 发明人 J·M·鲁斯迪格;J·B·詹斯马
分类号 G01T3/00(2006.01)I;B05D1/06(2006.01)I 主分类号 G01T3/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 林毅斌;林森
主权项 一种中子检测器,其包括:界定了内部体积的外壳;至少壁部分,所述壁部分起阴极作用;位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构;在所述壁部分上的硼涂层,其中所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加;和电连接器,其可操作地连接至所述中心结构,以用于传输所述中心结构采集的信号。
地址 美国纽约州