一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法

摘要

本发明涉及一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法，该方法是将抛光分为五个阶段，五个阶段的抛光过程温度控制到25℃-28℃；PH控制到10.5-11；在第三阶段将抛光时间缩短为6-8分钟；在第四阶段将抛光时间延长到2-3分钟，压力从0.1KN提高到0.2KN，同时在抛光结束前添加高纯表面活性剂至第五阶段结束；采用本发明，可以有效控制化学与机械抛光的平衡度，从而防止抛光片表面容易因化学或机械作用过强而引起硅片表面粗糙，使IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度符合标准，提高后续加工过程的图形良率。

主权项

一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法，其特征在于它经过下列阶段：A、在抛光机中加入PH值为10.5～11的抛光液后，进入第一阶段抛光，将温度控制在20℃～23℃，压力控制在0.3～0.5KN，时间控制在20～30秒；B、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第二阶段抛光，将温度控制在20℃～23℃，压力控制在0.5～1KN，时间控制在30～60秒；C、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第三阶段抛光，将温度控制在25℃～30℃，压力控制在2.0～2.5KN，时间控制在6～8分钟；D、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第四阶段抛光，将温度控制在25℃～30℃，压力控制在0.1～0.2KN，时间控制在2～3分钟，并在该阶段结束前20～25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂；F、进入第五阶段抛光，将温度控制在20℃～23℃，压力控制在0.1～0.3KN，时间控制在30～60秒，即可完成抛光。