| 发明名称 | 超级结制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超级结制作方法，在深沟槽内填充P型单晶硅且形成P型柱之后，利用定义所述深沟槽的光罩层定义出离子注入区域，然后注入P型离子。本发明通过改善超级结的制造工艺流程，在P型柱形成之后，在P型柱顶端增加一步离子注入，从而增加P型柱顶端的离子掺杂浓度，改善P阱区的电阻，优化器件的耐雪崩击穿能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103050408A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210174799.7 | 申请日期 | 2012.05.31 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘远良 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种超级结制作方法，其特征在于：在深沟槽内填充P型单晶硅且形成P型柱之后，利用定义所述深沟槽的光罩层定义出离子注入区域，然后注入P型离子。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||