一种BCD工艺下的ESD器件结构

摘要

本实用新型的目的在于公开一种BCD工艺下的ESD器件结构，它包括ESD NMOS单元，所述ESD NMOS单元上设置有P型有源注入区和N型有源注入区，所述P型有源注入区上连接有VSS端，所述N型有源注入区上连接有源极端或者漏极端，所述漏极端的N型有源注入区之间通过N阱扩散区连接，N阱扩散区的一端为输入压焊点的接入端口，N阱扩散区的另一端为ESD NMOS单元的漏极端，所述源极端与所述漏极端之间设置有栅极端；与现有的技术相比，采用圆形器件结构，在漏端引入N阱限制silicide（硅化）引起的表面ESD电流集中，有效进行ESD（静电放电）功率耗散，提高了器件ESD（静电放电）电流泄放能力，同时更高的面积利用率降低了产品制造成本，实现本实用新型的目的。

主权项

一种BCD工艺下的ESD器件结构，其特征在于，它包括ESD NMOS单元，所述ESD NMOS单元上设置有P型有源注入区和N型有源注入区，所述P型有源注入区上连接有VSS端，所述N型有源注入区上连接有源极端或者漏极端，所述漏极端的N型有源注入区之间通过N阱扩散区连接，N阱扩散区的一端为输入压焊点的接入端口，N阱扩散区的另一端为ESDNMOS单元的漏极端，所述源极端与所述漏极端之间设置有栅极端。