| 发明名称 | 具有肖特基二极管测温的大功率LED | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有肖特基二极管测温的大功率LED，其特征在于：在大功率LED的中心区设置了一个肖特基二极管。本发明利用大功率LED自身的特性制备一个用来测量温度的肖特基二极管，在LED正常工作时，实时测量其温度，对于大功率LED应用具有非常重要的意义，即可以实时监测LED应用产品的实时工作温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102185041B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201110066973.1 | 申请日期 | 2011.03.18 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 孙慧卿;郭志友;解晓宇;王度阳;韩世洋;许轶;严卫聪;黄鸿勇 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 何淑珍;廖继海 |
| 主权项 | 具有肖特基二极管测温的大功率LED，在大功率LED的中心区设置了一个肖特基二极管，大功率LED的基本半导体材料为GaN，其特征在于：大功率LED从上往下依次包括p型GaN层(7)、InGaN/GaN量子阱层(8)、n型高浓度GaN层(9)、n型低浓度GaN层(10)以及衬底(11)，在大功率LED的中心区从上往下设有一个盲孔(4)，盲孔(4)的深度至InGaN/GaN量子阱层(8)或n型高浓度GaN层(9)或n型低浓度GaN层(10)；在盲孔(4)的底部，制作了肖特基二极管的正电极(102)和肖特基二极管的负电极(2)，在肖特基二极管的正电极(102)上制作了肖特基二极管的正电极焊盘(3)。 | ||
| 地址 | 510631 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 | ||