发明名称 | 非易失性存储装置和数据读取方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种读取存储单元数据的方法和非易失性存储装置,所述装置将低电压施加到与可从其读取数据的存储单元相邻的存储单元。所述读取非易失性存储装置的存储单元数据的方法包括将第一电压施加到多个存储单元中的读取存储单元的控制栅极;将第三电压施加到与所述读取存储单元相邻的存储单元的控制栅极;将第二电压施加到除了读取存储单元和相邻存储单元之外的存储单元的控制栅极。 | ||
申请公布号 | CN101373637B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
申请号 | CN200810134074.9 | 申请日期 | 2008.07.24 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵寅成;陈暎究;玄在雄;朴允童 |
分类号 | G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;罗延红 |
主权项 | 一种读取非易失性存储装置的存储单元数据的方法,所述非易失性存储装置具有多个存储单元,每个存储单元具有控制栅极和电荷存储层,所述方法包括:将第一电压施加到所述多个存储单元中的读取存储单元的控制栅极;将第三电压施加到与所述读取存储单元相邻的存储单元的控制栅极;将第二电压施加到所述多个存储单元中的其它存储单元的控制栅极,其中,不管存储单元的状态如何,第二电压高于或等于使电流流过存储单元的最小电压,第三电压高于第一电压且低于第二电压。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市 |