| 发明名称 | 一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化钨基电阻型存储器的制备具有工艺简单、制备成本低的特点，同时其制备的氧化钨基电阻型存储器成品率高、功耗低，抗读干扰性能和高疲劳特性均得以提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102169956B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201010113771.3 | 申请日期 | 2010.02.25 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;宋雅丽;王明 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种制备氧化钨基电阻型存储器的方法，其特征在于，通过在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层，然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||