发明名称 |
坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 |
摘要 |
坩埚下降法生长晶体炉的下降装置,适用于晶体质量对外界振动敏感的晶体的生长,属于晶体生长技术领域。现有技术存在中频和低频振动,通过坩埚形成对晶体生长的干扰,降低了晶体质量。本发明之坩埚下降法生长晶体炉的下降装置其特征在于,升降杆下端的活塞位于液压缸中;位于液压缸底部的滴油阀一端通向液压缸内部,另一端通向储油槽;安装在临近升降杆侧壁处的位移传感器与降速控制器连接,降速控制器与滴油阀的控制部分连接。采用本发明下降法生长无掺杂LiCaAlF6晶体,晶体直径20 mm、长度200 mm,单晶结构完整,劈裂获得的晶体解理面光滑平整,切割截取晶体中部测量,其应力双折射小于10 nm/cm,吸收系数小于2×10E-3,损伤阈值得以提高。 |
申请公布号 |
CN103046115A |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201210509805.X |
申请日期 |
2012.12.03 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
臧春雨;臧春和;姜晓光;李毅;葛济铭;万玉春;贾志旭 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
长春菁华专利商标代理事务所 22210 |
代理人 |
陶尊新 |
主权项 |
一种坩埚下降法晶体生长炉的下降装置,其特征在于,升降杆(1)下端的活塞(2)位于液压缸(3)中;位于液压缸(3)底部的滴油阀(4)一端通向液压缸(3)内部,另一端通向储油槽(5);安装在临近升降杆(1)侧壁处的位移传感器(6)与降速控制器(7)连接,降速控制器(7)与滴油阀(4)的控制部分连接。 |
地址 |
130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7989号 |