| 发明名称 | 嵌入式晶体管 | ||
| 摘要 | 提供了用于诸如DRAM存储单元的电子器件的嵌入式晶体管及其制造方法。沟槽形成在衬底中，并且栅极介电层和栅电极形成在衬底的沟槽中，源极区域/漏极区域形成在沟槽的相对侧上的衬底中。在实施例中，源极区域/漏极区域中的一个连接至存储节点，源极区域/漏极区域中另一个连接至位线。在该实施例中，栅电极可以连接至字线以形成DRAM存储单元。 | ||
| 申请公布号 | CN103050407A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210005737.3 | 申请日期 | 2012.01.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 丁裕伟;黄国钦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一组沟槽和第二组沟槽；在所述第一组沟槽中形成介电材料；沿着所述第二组沟槽的侧壁和底部形成栅极介电层；在所述第二组沟槽中的所述栅极介电层的上方形成栅电极；以及在所述第二组沟槽的相对侧上的所述衬底中形成源极区域/漏极区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||