| 发明名称 | 全压接封装高压半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型的名称为全压接封装高压半导体器件，属于高压半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊结而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：管壳下封接件、下钼圆片、半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和管壳上封接件依次为压接接触；管壳上封接件中心设有安装孔；上钼圆片中心设有定位孔，门极引线组件卡入该定位孔内。本实用新型具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足电压5000V以上或芯片直径4吋及以上的高压半导体器件要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN202888149U | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201220591187.3 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 湖北台基半导体股份有限公司 | 发明人 | 刘鹏;张桥;颜家圣;吴拥军;孙亚男;杨宁;林煜风;张明辉;李娴;任丽;刘小俐 |
| 分类号 | H01L23/04(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人 | 严崇姚 |
| 主权项 | 一种全压接封装高压半导体器件，包括管壳下封接件（1）、下钼圆片（2）、半导体芯片（3）、上钼圆片（4）、门极引线组件（6）和管壳上封接件（5），其特征是：所述管壳上封接件（5）中心设有安装孔；所述上钼圆片（4）中心设有定位孔，门极引线组件（6）卡入该定位孔内；管壳下封接件（1）、下钼圆片（2）、半导体芯片（3）、上钼圆片（4）、门极引线组件（6）和管壳上封接件（5）依次为压接接触。 | ||
| 地址 | 441021 湖北省襄樊市襄阳市襄城区胜利街162号 | ||