发明名称 一种测量脉冲放电等离子体鞘层温度的方法
摘要 本发明属于光学测量技术领域,涉及的是测量脉冲放电等离子鞘层温度的方法,该方法结合光谱法与激波波速测量,首先利用光谱法准确的测量出正柱区的气体温度,再利用小孔光阑阴影法,准确的测量放电后激波的波速,再用正柱区温度与激波波速计算出薄鞘层温度。本发明克服了放电等离子鞘层厚度薄、发光总量弱、无法直接测量的缺点,利用了正柱区体积大、发光强、利于收集,以及激波波速恒定,易于测量的特点,通过运用激波管的近似原理,准确的测量放电等离子鞘层的气体温度。
申请公布号 CN103048062A 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201210523847.9 申请日期 2012.12.07
申请人 华中科技大学 发明人 杨晨光;徐勇跃;左都罗;王新兵;陆培祥
分类号 G01K11/00(2006.01)I 主分类号 G01K11/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 曹葆青
主权项 一种测量脉冲放电等离子体鞘层温度的方法,该方法包括下述步骤:第1步利用光谱仪测量放电等离子发射的分子光谱,利用测量的分子光谱数据,拟合得到放电气体的分子转动温度作为正柱区的气体温度;第2步利用小孔光阑阴影法获得放电等离子体鞘层与正柱区之间的激波分布图,并利用增强型电荷耦合成像器件对获得的图像进行采集,获得激波演化的时序图像;对获得的时序图像进行平滑和去噪处理,然后进行二值化及细化处理,获得激波位置,再进行线性拟合得到激波波速W;第3步由正柱区气体温度与激波波速推算等离子鞘层温度。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号