精确控制EB结位置和EB结反向击穿电压的结构

摘要

本发明公开了一种精确控制锗硅异质结三极管EB结位置及其反向耐压的结构，包括是集电区，基区和发射区；集电区由有源区通过N型掺杂构成；基区有锗硅外延生长构成，生长过程中掺入P型杂质；而发射区则是由多晶硅构成；基区外延层中的覆盖层中的掺杂类型为N型。本发明主要是优化基区的掺杂分布，将基区外延层中的覆盖层中的掺杂类型由P型的硼(B)替换成N型的磷或者砷(As)。藉由外延生长中精确控制掺入N型杂质的位置和浓度，与原外延中硼的掺杂配合，从而达到精确控制EB结的位置，同时也实现了EB结反向耐压的可调。本发明能增加工艺稳定性，改善面内的均匀性，减少原本为控制EB位置的热过程。

主权项

一种精确控制锗硅异质结三极管EB结位置及其反向耐压的结构，其特征在于，包括是集电区(1)，基区(2)和发射区(3)；集电区由有源区通过N型掺杂构成；基区有锗硅外延生长构成，生长过程中掺入P型杂质；而发射区则是由多晶硅构成；基区外延层中的覆盖层中的掺杂类型为N型。