OTP存储单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种OTP存储单元及其制作方法。该OTP存储单元，包括：半导体衬底；栅介质层；存储栅和控制栅；位于所述存储栅周围的将所述存储栅和控制栅隔开的侧墙隔离结构；包裹于所述存储栅和控制栅表面的绝缘保护层；位于所述控制栅一侧与所述半导体衬底接触的选通电极；以及位于所述半导体衬底内所述选通电极下方的掺杂阱区。该OTP存储单元，相对于传统的浮栅OTP而言，利用了薄栅介质层的击穿对器件电学特性的影响实现存储。其结构紧凑，原理简单，存储编程操作方便，并且该结构的制作方法与标准逻辑制程相兼容，工艺简单，可以极大的节省制造成本。

主权项

一种OTP存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅介质层；位于所述栅介质层上的存储栅和控制栅；位于所述存储栅周围的侧墙隔离结构，所述侧墙隔离结构将所述存储栅和控制栅隔开；包裹于所述存储栅和控制栅表面的绝缘保护层；位于所述控制栅一侧与所述半导体衬底接触的选通电极，所述选通电极与所述控制栅之间由绝缘保护层隔开；位于所述半导体衬底内所述选通电极下方的掺杂阱区。