沟槽MOSFET器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽MOSFET器件的制造方法，通过在掺杂离子激活和推进之前在硅片表面淀积一层氮化硅来抑制沟槽顶部和侧壁硅的氧化，并在源极重掺杂区热推进后，将该层氮化硅去除，从而在后续的掺杂离子激活和推进的时候，避免了沟槽顶部和侧壁硅被氧化，从而可以降低多晶硅凹陷对器件的反向漏源电流的影响。

主权项

一种沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在硅片外延层上方形成硬掩膜；二.利用硬掩膜，在硅片外延层上进行沟槽刻蚀，形成一个或多个沟槽；三.在硅片上淀积栅氧化层；四.在栅氧化层上淀积多晶硅；五.回刻多晶硅，去除沟槽外的多晶硅；六.在硅片上淀积一层氮化硅；七.进行与硅片外延层掺杂类型相反的杂质注入，并进行热推进，在硅片外延层上形成体区，体区低于沟槽内的多晶硅的上表面，高于沟槽内的多晶硅的下表面；八.进行与硅片外延层掺杂类型相同的杂质注入，并进行热推进，在体区上方形成源极重掺杂区；九.去除氮化硅；十.进行后续工艺。