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发明名称
Field effect transistor device
摘要
A semi-metallic structure, comprising an LaAlO3—SrTiO3 heterostructure (19), said LaAlO3—SrTiO3 heterostructure comprising a two-dimensional hole gas (21) and a two-dimensional electron gas (23).
申请公布号
GB201304048(D0)
申请公布日期
2013.04.17
申请号
GB20130004048
申请日期
2013.03.06
申请人
TOSHIBA RESEARCH EUROPE LIMITED
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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