一种高光效白光LED倒装芯片

摘要

本发明涉及一种高光效白光LED倒装芯片，其层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11），在衬底（1）表面涂敷一层纳米荧光粉层（28），其特征在于：该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度。本发明由于在衬底上通过附着孔附着一层环形纳米荧光粉层，该纳米荧光粉层与普通的荧光粉相比，可以使得芯片发出的白光更加明亮可靠。

主权项

一种高光效白光LED倒装芯片，其层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11），在衬底（1）表面涂敷一层纳米荧光粉层（28），其特征在于：该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度；N型电极主要包括N型电极光穿透层ITO薄膜（191）和N型电极金属合金层（23），其中N型电极光穿透层ITO薄膜（191）为阶梯结构，阶梯结构下部与芯片的N型层（3）暴露区连接；阶梯结构上部与N型电极金属合金层（23）、金属层（11）以及绝缘介质膜（16）连接，其中N型电极金属合金层（23）位于阶梯结构上部的上方，金属层（11）和绝缘介质膜（16）位于阶梯结构上部的下方；P型电极主要包括P型电极金属合金层（24）和P型电极光穿透层ITO薄膜（192），P型电极光穿透层ITO薄膜（192）上方与P型电极金属合金层（24）连接，P型电极光穿透层ITO薄膜（192）四周向下延伸至光穿透层（9）并且将下方的金属层（11）和二氧化硅层（10）限制于其中；N型电极金属合金层（23）与P型电极金属合金层（24）位于同一水平面；所述绝缘介质膜（16）与阶梯结构的中间部分和下部相平行，起到隔离N型电极光穿透层ITO薄膜（191）的作用；所述环状N型电极和所述P型电极通过各自的PCB板与散热结构（26）连接。