发明名称 |
晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法 |
摘要 |
晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法,是将硼或磷掺入锗或/和锡母合金中,通过测量硅片电阻率,确定锗或/和锡的浓度。本发明采用将磷或硼掺入锗锡母合金中,建立母合金电阻率与锗锡杂质浓度的关系,通过测量母合金的电阻率即可确定锗锡杂质的浓度,方法简单,操作方便,解决了目前锗锡母合金浓度检测困难的问题,不仅降低了生产成本,且提高了生产效率。 |
申请公布号 |
CN103048360A |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201210511093.5 |
申请日期 |
2012.11.30 |
申请人 |
西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司 |
发明人 |
张群社;祁伟;白荣;李澍 |
分类号 |
G01N27/04(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/04(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
罗笛 |
主权项 |
晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法,其特征在于,将硼或磷掺入锗或/和锡母合金中,通过测量硅片电阻率,确定锗或/和锡的浓度,具体包括以下步骤:步骤1.在太阳能级多晶硅原料中同时掺入硼或磷、锗或/和锡,采用常规的直拉单晶制造法,形成硅熔体,在氩气保护气氛下,制得母合金硅棒;步骤2.将步骤1中所得母合金硅棒切割成母合金硅片,再进行清洗;步骤3.利用四探针法测量步骤2所得母合金硅片的电阻率ρ,依据硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算公式,计算母合金硅片中硼或磷的掺杂浓度。步骤4.利用晶体中分凝计算公式(1)得出取样母合金硅片在母合金晶棒上所处的体积分数g,Cs=C0Ke(1‑g)(Ke‑1) (1)式中:Cs——母合金硅棒中硼或磷的掺杂浓度cm‑3;C0——硅熔体中硼或磷的浓度cm‑3;Ke——硼或磷的分凝系数;g——硼或磷的体积分数;步骤5.将步骤4计算所得g值、锗或锡的分凝系数Ke1和硅熔体中的锗或锡浓度C01,代入公式(1)计算可得母合金硅片中锗或锡杂质的浓度Cs1。 |
地址 |
710100 陕西省西安市长安区航天中路388号 |