三维集成高密度厚薄膜多芯片组件的集成方法

摘要

本发明公开了三维集成高密度厚薄膜多芯片组件的集成方法，方法是先用薄膜混合集成方式，在另一小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；之后将所有对外进行电气连接的引脚从多层陶瓷基片的一个端面或两面引出；接着在每根引线的键合区及底座多层陶瓷基片表面相应的键合区采用金丝球键合或印刷浆料再流焊的方法形成金球；最后，用共晶焊接、合金焊或浆料粘接方式将集小多层陶瓷基片垂直集成在底座多层陶瓷基片上。本发明采用三维竖向垂直集成，可将一个以上半导体芯片或其他片式元器件垂直集成在同一底座多层陶瓷基片上，实现高密度三维集成，提高多芯片组件的集成度和提高应用系统的可靠性。

主权项

三维集成高密度多芯片组件的集成方法，其特征是：先按多层陶瓷厚膜基片常规工艺制作所需多层陶瓷厚膜基片，将所有对外进行电气连接的引脚制作在小多层陶瓷基片的同一端的端面或者两面；接着陶瓷厚膜基片表面进行化学机械抛光处理，减小LTCC表面粗糙度到0.1微米以内，在其表面采取高真空溅射或蒸发的方式，成型所需的薄膜导带‑阻带网络；然后在每根引脚的键合区和底座多层陶瓷基片表面相应的键合区形成金球；再采用薄膜混合集成的方式进行半导体芯片或片式元器件的集成，在小多层陶瓷基片的正反面集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合；最后，采用共晶焊接、合金焊或浆料粘接的方式将集成后的小多层陶瓷基片垂直集成在底座多层陶瓷基片上。