| 发明名称 | 刻蚀控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种刻蚀控制方法，其中，刻蚀工艺通过APC工艺进行控制，所述APC工艺使用神经网络模型，神经网络模型能够很好地逼近晶圆上各点的特征尺寸，通过精确的特征尺寸对刻蚀工艺进行调整，提高刻蚀工艺的可靠性，进一步的提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103050421A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201110315498.7 | 申请日期 | 2011.10.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种刻蚀控制方法，其特征在于，包括：成膜工艺，在晶圆上形成制造器件结构的膜层；刻蚀工艺，刻蚀所述膜层以形成器件结构；其中，所述刻蚀工艺通过APC工艺进行控制，所述APC工艺使用神经网络模型。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||