多种气体直通道喷头

摘要

本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。

主权项

一种喷头装置，所述装置包括：设置在喷头内的第一气室；设置在喷头内的第二气室；形成在喷头内的多个直且平行的第一气流通道，所述第一气流通道用于自所述第一气室接收第一前驱物气体；形成在喷头内的多个直且平行的第二气流通道，所述第二气流通道用于自所述第二气室接收第二前驱物气体，其中所述第一气流通道平行于所述第二气流通道，并且其中所述第一气室设置在所述第二气室和所述第一、第二气流通道之间；形成在喷头表面中的多个混合通道，并且所述多个混合通道与所述第一和第二气流通道流体相通；以及形成在所述混合通道的侧壁中的多个热交换通道，所述多个热交换通道用于接收热交换流体，其中所述混合通道的侧壁包括垂直壁和发散壁，并且其中所述垂直壁和所述发散壁关于所述热交换通道的中心平面不对称定位。