发明名称 具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法。上述功能性阵列元件包括透明基板。图案化阵列式下电极设置于该透明基板上。间隙壁结构设置于该透明基板上,且位于该图案化阵列式下电极之间的间隙,且与该图案化阵列式下电极自对准。功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中。图案化上电极设置于该功能性结构层上,位于对应该像素阵列区域,以及保护层设置于该图案化上电极上,覆盖该功能性阵列元件。
申请公布号 CN101609835B 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN200810128535.1 申请日期 2008.06.19
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 侯智升;侯维新
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种具有自对准电极结构的功能性阵列元件,包括:透明基板;图案化阵列式第一下电极设置于该透明基板上;图案化绝缘层设置于该透明基板和该第一下电极上,露出一部分的该第一下电极;图案化的第二下电极设置于该绝缘层上,且图案化的第二下电极的内缘与该第一下电极的边缘重叠;间隙壁结构设置于该绝缘层上,且自对准地形成于该第一下电极和该第二下电极的遮盖区域之外;功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中;图案化上电极设置于该功能结构层上,位于对应该像素阵列区域,以及保护层设置于该图案化上电极上,覆盖该具有自对准电极结构的功能性阵列元件。
地址 中国台湾新竹县