发明名称 |
具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法。上述功能性阵列元件包括透明基板。图案化阵列式下电极设置于该透明基板上。间隙壁结构设置于该透明基板上,且位于该图案化阵列式下电极之间的间隙,且与该图案化阵列式下电极自对准。功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中。图案化上电极设置于该功能性结构层上,位于对应该像素阵列区域,以及保护层设置于该图案化上电极上,覆盖该功能性阵列元件。 |
申请公布号 |
CN101609835B |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN200810128535.1 |
申请日期 |
2008.06.19 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
侯智升;侯维新 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种具有自对准电极结构的功能性阵列元件,包括:透明基板;图案化阵列式第一下电极设置于该透明基板上;图案化绝缘层设置于该透明基板和该第一下电极上,露出一部分的该第一下电极;图案化的第二下电极设置于该绝缘层上,且图案化的第二下电极的内缘与该第一下电极的边缘重叠;间隙壁结构设置于该绝缘层上,且自对准地形成于该第一下电极和该第二下电极的遮盖区域之外;功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中;图案化上电极设置于该功能结构层上,位于对应该像素阵列区域,以及保护层设置于该图案化上电极上,覆盖该具有自对准电极结构的功能性阵列元件。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |